新基建和“雙碳”戰略目標推動下，第三代半導體產業正在開啟發展加速度，有望成為綠色經濟的中流砥柱，引領新一輪產業革命。值得關注的是，以碳化硅為代表的第三代半導體是支撐新能源汽車發展的關鍵技術之一，在電機控制器、車載充電器、DC/DC變換器等關鍵部件中發揮重要的作用。

11月27日，2021基本創新日活動在深圳舉行。活動上，基本半導體發布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品，進一步完善了基本半導體的產品布局。

碳化硅是新能源汽車發展中的一個熱點，特斯拉Model3以及比亞迪漢車型紛紛搭載了碳化硅的器件，小鵬G9以及蔚來汽車都官宣要使用碳化硅的工藝器件模塊。外資車企如豐田、大眾、北汽、一汽、理想都有使用碳化硅工藝器件的計劃。

據了解，基本半導體汽車級全碳化硅MOSFET功率模塊包括半橋MOSFET模塊Pcore?2、三相全橋MOSFET模塊Pcore?6、塑封單面散熱半橋MOSFET模塊Pcell?等。

深圳基本半導體有限公司總經理和巍巍介紹，基本半導體在這三款模塊里主要運用了三項創新技術：第一，芯片上表面連接技術。芯片上表面使用了銅牌的連接，減少雜散電感，增加過流的能力；第二，基板表面連接技術。傳統的連焊錫或者膠粘做連接，現在用了燒結的技術，用納米銀來做燒結的機制，可以實現更低的熱阻和更好連接的方式；第三，模塊散熱連接，用了全銅焊片真空回流焊的技術，避免連接層厚度不均勻所造成的一些不良影響。

據介紹，該系列產品采用銀燒結技術，相較于傳統硅基IGBT功率模塊具有更高功率密度、更高可靠性、更高工作結溫、更低雜散電感、更低熱阻等特性，綜合性能達到國際先進水平，特別適合應用于新能源汽車。

追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代650V、1200V系列碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上，實現了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更強的浪涌能力。

現代尖端電力電子設備性能升級需要提升系統功率密度、使用更高的主開關頻率。而現有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無法完全滿足要求，需要高性能與性價比兼具的主開關器件。為此，基本半導體首次正式發布一款新品：混合碳化硅分立器件。不同于全硅基IGBT+FRD，這款產品在以硅基IGBT作為核心開關器件的單管器件中，將器件中的續流二極管從硅基FRD換成了碳化硅肖特基二極管。

和巍巍介紹，第二代碳化硅二極管和混合型的器件，電流從2A、40A到50A的產品矩陣，可以應用在消費類電子、快充、家電、醫療設備和新能源汽車等領域，目前已經有一些客戶開始小批量地測試。

碳化硅模塊研發總監周福鳴指出，碳化硅的結構決定了低的開關損耗和很低的比導通阻，其優勢是可以帶來更高的功率密度。

和巍巍透露，基本半導體在無錫建設的汽車級的工業模塊的產業基地目前已經通線開始試產。預計產能在明年可達到25萬支，后續的二期和三期建設完成以后，預計在2025年可以達到150萬支，為新能源汽車客戶做更好的服務。